Electronic energy of hexagonal site self-interstitial impurity in si gépirat /
Elmentve itt :
Szerzők: |
Papp György Boguslawski P. Baldereschi A. |
---|---|
Dokumentumtípus: | Cikk |
Megjelent: |
1986
|
Sorozat: | Acta physica et chemica
32 No. 1-4 |
Kulcsszavak: | Természettudomány, Kémia, Fizika |
Online Access: | http://acta.bibl.u-szeged.hu/24330 |
Hasonló tételek
-
Change caused in charge density gp Si by a hexagonal site
Szerző: Papp György, et al.
Megjelent: (1987) -
Binding energies of transition metal impurities in aluminium
Szerző: Papp György, et al.
Megjelent: (1978) -
Transfer of electronic excitation energy between tryptophans at the active site of lysozyme
Szerző: Maróti Péter, et al.
Megjelent: (1975) -
Effect of hexagon field energy on the microbiological infected irrigation and drinking water
Szerző: Lantos Ferenc, et al.
Megjelent: (2015) -
Dangling-to-Interstitial Oxygen Transition and Its Modifications of the Electronic Structure in Few-Layer Phosphorene
Szerző: Gomez Perez Juan Fernando, et al.
Megjelent: (2020)