Femtosecond laser interaction with pulsed-laser deposited carbon thin films of nanoscale thickness
The dependence of optical, electronic and thermal penetration zones on the thickness of nanoscale layers grown on silicon wafers is reported. Tetrahedral amorphous carbon (ta-C) and amorphous carbon nitride (a-C(x)N(y)) films were prepared by inverse pulsed laser deposition (IPLD). Single-pulse modi...
Elmentve itt :
Szerzők: |
Forster Magdalena Égerházi László Haselberger C. Huber Christoph Kautek Wolfgang |
---|---|
Dokumentumtípus: | Cikk |
Megjelent: |
2011
|
Sorozat: | APPLIED PHYSICS A - MATERIALS SCIENCE AND PROCESSING
102 No. 1 |
doi: | 10.1007/s00339-010-6013-5 |
mtmt: | 1892884 |
Online Access: | http://publicatio.bibl.u-szeged.hu/18193 |
Hasonló tételek
-
Thickness distribution of carbon nitride films grown by inverse pulsed laser deposition
Szerző: Égerházi László, et al.
Megjelent: (2005) -
Inverse pulsed laser deposition
Szerző: Égerházi László, et al.
Megjelent: (2008) -
Super growth of vertically aligned carbon nanotubes on pulsed laser deposited catalytic thin films
Szerző: Fejes Dóra, et al.
Megjelent: (2015) -
On the orientation independence of inverse pulsed laser deposition
Szerző: Égerházi László, et al.
Megjelent: (2006) -
Design of an optical trap for storing femtosecond laser pulses
Szerző: Shehata Abdullah, et al.
Megjelent: (2018)